Модули СВЧ

Назад

СВЧ модули синтезаторов частоты Гибридные СВЧ модули широкополосных генераторов, управляемых напряжением  
СВЧ модули усилителей мощности Модули переключателей Модули аттенюаторов
Filters Sort
Наименование изделия
Документ на поставку изделия
Характеристики
Аналоги
Справочный лист, скачать PDF
К1324УВ28У1
ТЛВШ.431000.001-36ТУ
∆f = DC – 12,0 ГГц; Рвых1дБ = 27 дБм; КПД = 28…30 %; Ку = 16…18 дБ; Uп = 8 В.
HMC659 HMC465
К1324УВ27АУ1
ТЛВШ.431000.001-37ТУ
∆f = 8,0 – 11,5 ГГц; Рвых = 0,5...0,6 Вт; КПД = 16…20 %; Ку = 17…19 дБ; Uп = 5/7 В.
HMC608 HMC487
К1324УВ40У1
Δf = 0,01 – 2,0 ГГц; Рвых1дБ = 13 дБм; Ку = 15 дБ; ΔКу = 5 дБ; Кш = 3,4 дБ; Iп = 35 мА; U = 3,3 В.
MSA-0336 HMC474SC70 MAAM-011041
К1324УВ41У1
Δf = 0,01 – 2,0 ГГц; Рвых1дБ = 19 дБм; Ку = 15 дБ; ΔКу = 5 дБ; Кш = 3,5 дБ; Iп = 130 мА; U = 5 В.
ADL5530 HMC479MP86 SGA-6386
К1324УВ42У1
Δf = 0,01 – 7,0 ГГц; Рвых1дБ = 12 дБм; Ку = 12 дБ; ΔКу = 3 дБ; Кш = 4 дБ; Iп = 30 мА; U = 3,3 В.
HMC396 SKY65013 70LF ERA-1SM+
К1324УВ43У1
Δf = 0,01 – 7,0 ГГц; Рвых1дБ = 19 дБм; Ку = 12 дБ; ΔКу = 3 дБ; Кш = 5 дБ; Iп = 110 мА; U = 5 В.
HMC396 LEE1-6+ GRF2003 GRF2010
К1324УВ60У1
Δf = 0,01 – 8,0 ГГц; Рвых1дБ = 32 дБм; Ку = 14 дБ; КПД = 15 %; Iп = 500 мА; U = 15 В.
PMA5-63-2W+ PMA5-83-2W+ HMC637A ADPA9002
iPA-121-M
Δ f = 2,0 – 3,6 ГГц; Рвых =25 Вт; КПД = 40 %; Ку = 25 дБ; Uп = 28 В.
К1324УП2У
Δf = 0,3–6,0 ГГц; Ку.макс = 17 дБ; N = 6 бит; ∆Ку = 31,5 дБ; Кш = 2,5 дБ.
ADL5243 HMC625 HMC626
ПП964А
Технологи: GaN; Δf = 0,01 – 3,5 ГГц; Рнас = 100 Вт; КПД = 60 %; Ку = 15 дБ; Uп = 48 В.
CGHV40100
ПП943А9
Технологи: GaN; Δf = 0,01 – 3,0 ГГц; Рнас = 60 Вт; КПД = 60 %; Ку = 14 дБ; Uп = 48 В.
A3G26D055N
ПП931А9
Технологи: GaN; Δf = 0,01 – 6,0 ГГц; Рнас = 10 Вт; КПД = 50 %; Ку = 13 дБ; Uп = 28 В.
UG60-05N, QPD0005
ПП930А9
Технологи: GaN; Δf = 0,01 – 6,0 ГГц; Рнас = 5 Вт; КПД = 50 %; Ку = 14 дБ; Uп = 28 В.
NPTB00004B, UG60-03N
К1324ПУ1АУ1
Δf = 0–4,0 ГГц; Кп = −1 дБ; Мощность просачивания = 13 дБм; Входная мощность (непрерывная / импульсная) = 2 / 60 Вт; КСВН = <2.
PE45450, ASML-5822, GC4700, RLM-43-5W+
К1324ФН10АУ1
Полоса пропускания = 0–6,8 ГГц; Полоса заграждения = 7,6–17 ГГц; Кп = −1,5 дБ; КСВН = 1,5.
XLF-662М+
К1324ФВ2АУ1
Полоса пропускания = 4,4–16,6 ГГц; Полоса заграждения = 0–3,7 ГГц; Кп = −0,9 дБ; КСВН = 1,5.
XHF-482М+
К1324ФВ1АУ1
Полоса пропускания = 3,4–16,5 ГГц; Полоса заграждения = 0–2,9 ГГц; Кп = −0,8 дБ; КСВН = 1,5.
XHF-392+
К1324ПС9АУ
Δf = 1,0–6,0 ГГц; Кпр = 12 дБ; ISO = 20 дБ; Рвх1дБ = 9 дБм; Icc = 105 мА; Тип = ДБС диодный с усилителями ГЕТ и ПЧ.
BM851, MDA4-752H+, HMC551, HMC552, HMC215, HMC615, HMC91
К1324ПС3АУ1
Δf = 0–4 ГГц; Кпр = 4 дБ; ISO = 50 дБ; Рвх1дБ = −7 дБм; Icc = 60 мА; Тип = Ячейка Гилберта.
LT5560, LT5526, AD8342, AD8343
К1324ПФ4АУ1
Δf = 8,0–12,5 ГГц; Ф = ±10 град.; IL = 9 дБ; ΔT = 100 нс; Uп = −5 мА.
HMC642, QPC2110, MAPS-010166, HMC643, CHP3015-QDG
К1324ПФ13АУ1
Δf = 10,0–18,0 ГГц; Δφмакс. = 390 град.; Кп = −10 дБ; Uупр = 0,1…9 В; BW3дБ = 30 МГц; КСВН = <2.
НМС932, CMD297P34
ПП954А
Δ f = 0,01–4,0 ГГц; Рнас = 50 Вт; КПД = 60%; Ку = 16 дБ; Uп = 28В.
iPA-120-М
Δ f = 1,4–2,5 ГГц; Рвых =25 Вт; КПД = 45%; Ку = 21 дБ; Uп = 28 В.
К1324ПС8АУ1
ΔfРЧ = 4 - 20 ГГц; ISO = 30 дБ; Кпр = −8 дБ; Рвх1дБ = 10 дБм; IIP3 = 16 дБм. Тип — ДБС диодный.
Аналоги: MAMX011035, HMC1048A, HMC553A.
iGB-701-MО
Δf = 0,5 – 8,0 ГГц; Ку = 14 дБ; Рвых1дБ = 18 дБм; Рнас = 33 дБм ; Uп = 5 – 28 В; Iп = 40 мА.
CMD232, PMA5-83-2W+, PHA-83W-D+
iPA-100-MB
∆f = 0,01 – 1,1 ГГц; Рвых = 10 Вт; КПД = 60 %; Ку = 15 дБ; Uп = 28 В.
iPA-116-M
∆f = 0,8 – 1,6 ГГц; Рвых = 30 Вт; КПД = 45 %; Ку = 28 дБ; Uп = 28 В.
ПП983А9
Δf = 0 - 4,0 ГГц; Iк= 0,3 мкА; Iэ= 5 мкА; Pвых = 0,05 Вт; Ку= 18,0 дБ; Uб= 5В; Uк= 5В
iPA-90-МВ
УМ от 6,2 до 8,5 ГГц, Pвых=5 Вт, Ку=25 дБ.
TGA2701-SM (ф. Qorvo, США)
iPA-43-MB
Δf = 8,0 – 11,0 ГГц; Рвых = 20 Вт; КПД = 30 %; Ку = 16 дБ; S21 = 27 дБ.
TGA2624 (ф. Qorvo, США) QPA1010D (ф. Qorvo, США) AM08012041WN (ф. AMCOM, США) MAAP-015035-DIE (ф. MACOM, США)
iGB-702-MO
Δf = 0,5 – 9,5 ГГц; Ку = 12 дБ; Рвых1дБ = 17 дБм; Рнас = 31 дБм ; Uп = 5 – 28 В; Iп = 30 мА.
PMA5-83-LV, CMD232
iGB-700-MB
Δf = 0,5 – 8,0 ГГц; Ку = 14 дБ; Рвых1дБ = 18 дБм; Рнас = 33 дБм ; Uп = 5 – 28 В; Iп = 40 мА.
iGB-700-MO
Δf = 0,1 – 4,0 ГГц; Ку = 19 дБ; Рвых1дБ = 23 дБм; Рнас = 32 дБм ; Uп = 5 – 28 В; Iп = 80 мА.
QPL1002, TSS-23HLN+, TQP3M9007, PHA-202+
iGB-70-MB
Δf = 0,1–4,0 ГГц; Ку = 19 дБ; Рвых1дБ = 24 дБм; Рнас = 33 дБм; Uп = 5–28 В; Iп = 80-160 мА.
QPL1002, TQP3M9007, CGY2106XHV.
К1324ПМ1АУ1
ТЛВШ.431000 .001-21ТУ
Δf = 0,01 - 5 ГГц; Aош = 0,2 дБ; tпер ﹤ 100 нс; Iп=2/6 мА; Uп= +5/-5В.
HMC792, SKY12329-350LF (Skyworks, США); AT-283-PIN, AT-357, MAAD-007081, MAATSS0022 (MACOM, США).
iPA-84-MB
Δf = 2,3 - 3,4 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 28 дБ; КПД = 30%; Uп = 7 В.
iPA-83-MB
Δf = 1,1 - 1,8 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 23 дБ; КПД = 30%; Uп = 7 В.
iPA-82-MB
Δf = 0,95 - 1,6 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 24 дБ; КПД = 30%; Uп = 7 В.
iPA-81-MB
Δf = 0,95 - 1,6 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 24 дБ; КПД = 30%; Uп = 7 В.
iPA-80-MB
Δf = 0,8 - 1,5 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 23 дБ; КПД = 27%; Uп = 7 В.
iPA-62-МВ
Δf = 0,01 - 3,5 ГГц; Рвых = 10 Вт; S21 = 19 дБ; КПД = 40%; Uп = 28В.
iPA-62-F
Δf = 0,1 - 3,5 ГГц; Рвых = 10 Вт; S21 = 19 дБ; КПД = 40%; Uп = 28В.
iPA-36-F
Δf = 2,0 - 6,2 ГГц; Рвых.и.= 30 Вт; S21 = 23 дБ; КПД = 35%; Uп = 28В.
К1324УВ84У1
ТЛВШ.431000.001-38ТУ
Δ f = 0,1 – 7,1 ГГц; Кш = 1 дБ; Pвых1дб = 20 дБм; Ку = 19 дБ; Uп = 6 В.
PMA3-14LN+, ADL8122, PMA3-83LN+
К1324УВ83У1
ТЛВШ.431000.001-38ТУ
Δ f = 1,0 – 7,1 ГГц; Кш = 2 дБ; Pвых1дб = 18 дБм; Ку = 17 дБ; Uп = 5 В.
ADRF5534, ADRF5532
К1324УВ82У1
ТЛВШ.431000.001-38ТУ
Δ f = 0,1 – 3,5 ГГц; Кш = 0,6 дБ; Pвых1дб = 20 дБм; Ку = 28 дБ; Uп = 5 В.
QPL9547, TQP3M9036, PMA2-63LN+, QPL9058
К1324УВ81У1
ТЛВШ.431000.001-38ТУ
Δ f = 1,0 – 6,0 ГГц; Кш = 2 дБ; Pвых1дб = 15 дБм; Ку = 33 дБ; Uп = 5 В.
MAAL-011243, MAAL-011188
iSW-191-H
Диапазон рабочих частот: 0,5 – 6,0 ГГц Вносимые потери: менее 1,0 дБ Изоляция: не более –30 дБ Импульсная входная мощность: 30 Вт (f = 2,5 ГГц) Время переключения: 50 нс Управляющее напряжение: 0 В / –40 В
TGS2351 (ф. Qorvo, США) QPC1005 (ф. Qorvo, США) AM003044WM-00 (ф. Amcom, США)
К1324УВ80У1
ТЛВШ.431000.001-38ТУ
Δ f = 0,5 – 4,5 ГГц; Кш = 1,8 дБ; Pвых1дб = 15 дБм; Ку = 20 дБ; Uп = 5 В.
TSS-53LNB+, MAAM-011229
iPA-73-МВ
Δf = 0,5- 3,5 ГГц; Ку= 14 дБ; Pвых. = 4 Вт; КПД=23%; Uп= 28 В (Iпок= 90 мА);
iPA-72-МВ
Δf = 1,0- 6,2 ГГц; Ку= 15 дБ; Pвых. = 3 Вт; КПД=20%; Uп= 28 В (Iпок= 90 мА);
QPA2597(ф. Qorvo, США) MAGX-101050-002C0P
iPA-41-МВ
Δf = 8,0- 11,0 ГГц; Ку= 21,5 дБ; Pвых. = 15 Вт; Iп= 0,5 А; Uп= 28 В Q = 10.
TGA2624 (ф. Qorvo, США) QPA1010D (ф. Qorvo, США) AM08012041WN (ф. AMCOM, США) MAAP-015035-DIE (ф. MACOM, США)
К1324ПФ11У
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 4…8 ГГц; Δφмакс. = 430 град; Кп= -4 дБ; КСВН < 2; Uупр = 0,1…9 В; BW3дБ = 30 МГц.
НМС929
iPA-31-F
Δf = 2,5 - 3,7 ГГц; Ку= 21 дБ; Pвых = 50 Вт; КПД=40% Uп= 28 В (Iпок= 500мА)
QPA1000 (ф. Qorvo, США) QPA1027 (ф. Qorvo, США) QPA2933 (ф. Qorvo, США) TGA2817-SM (ф. Qorvo, США)
iPA-74-МВ
Δf = 2,0 - 6,5 ГГц; Ку=17 дБ; Pвых = 3 Вт; КПД=30% Uп= 28 В (Iпок= 100 мА)
TGA2597 (ф. Qorvo, США)
iPA-75-МВ
Δf = 6,0 - 11,5 ГГц; Ку=17 дБ; Pвых = 3 Вт; КПД=20% Uп= 28 В (Iпок= 100 мА)
TGA2598 (ф. Qorvo, США)
iPA-116-M
Δf = 0,8 - 1,6 ГГц; <br> Ку=22 дБ; <br> Pвых = 25 Вт;<br> КПД=50%<br> Uп= 28 В (Iпок= 300 мА)<br>
iPA-41-МВ
Δf = 8,0- 11,0 ГГц; Ку= 21,5 дБ; Pвых. = 15 Вт; Iп= 0,5 А; Uп= 28 В; Q = 10.
TGA2624 (ф. Qorvo, США) QPA1010D (ф. Qorvo, США) AM08012041WN (ф. AMCOM, США) MAAP-015035-DIE (ф. MACOM, США)
К1324ДП2У1/Н4
ТЛВШ.431000.001-24ТУ
Δf = 0,1 - 6,0 ГГц; Фош= 1,5°; Pвх 1дБ = -5 дБм; Iп= 50 мА; Uп= 5 В.
ADL5382; LTC5594, ADL5380, HMC597
К1324ДП1У1/Н4
ТЛВШ.431000.001-24ТУ
Δf = 0,1 - 5,0 ГГц; Фош= 1,5°; Pвх 1дБ = -5 дБм; Iп= 50 мА; Uп= 5 В.
ADL5382; LTC5594, ADL5380, HMC597
К1324МП5У1/Н4
ТЛВШ.431000.001-24ТУ
Δf = 0,1 - 5,5 ГГц; Aбок = 30 дБ; Pвых= -6,5 дБм; Iп= 80 мА; Uп= 5 В
ADL5375; HMC1097, LTC5588-1, LTC5589, TRF370417
К1324МП4У1/Н4
ТЛВШ.431000.001-24ТУ
Δf = 0,1 - 4,5 ГГц; Aбок = 40 дБ; Pвых= -6,5 дБм; Iп= 80 мА; Uп= 5 В
ADL5375; HMC1097, LTC5588-1, LTC5589, TRF370417
К1324МП3У1/Н4
ТЛВШ.431000.001-24ТУ
Δf = 0,05 - 4,0 ГГц; Aбок = 50 дБ; Pвых= -6,5 дБм; Iп= 80 мА; Uп= 5 В
ADL5375; HMC1097, LTC5588-1, LTC5589, TRF370417
К1324ПМ24АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 30 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-30+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ23АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 20 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-20+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ22АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 15 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-15+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ21АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 12 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-12+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ20АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 10 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-10+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ19АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 9 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-9+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ18АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 8 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-8+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ17АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 7 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-7+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ16АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 6 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-6+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ15АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 5 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-5+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ14АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 4 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-4+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ13АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 3 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-3+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ12АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 2 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-2+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ11АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 1 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-1+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ10АТ
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 2,5 ГГц; Kосл = 0 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
LAT-0+ (Mini Circuits, США).
К1324ПМ21У
ТЛВШ.431000.001-21ТУ
Δf = 20 ГГц; Kосл = 12 дБ; Pвx.= 0,5 Вт
GAT-12+, LAT-12+, PAT-12+, RCAT-12+, YAT-12+, YAT-12-D+, YAT-12A+ (Mini Circuits, США).
iPWR-504-M24
ТЛВШ.431422.001-02ЭТ
Uп = 8 В…50 В; Iп = 4,0 мА; Uсм = -4,5 В + 4,5 В; Iсм. макс = 10 мА
Xsystor 100X; Macom MABC-001000-DP000L
iPWR-502-MO
ТЛВШ.431422.001ЭТ
Uп = 10 В…32 В; Iп = 8,5 мА; Uсм = -4,5 В + 3,5 В; Iсм. макс = 10 мА
Analog Devices HMC920; Qorvo ACT41000
К1324УВ28У1
К1324УВ28У1_ЭО_00.11.24_ЭТ
∆f = DC – 12,0 ГГц; Рвых = 0,4...0,6 Вт; КПД = 28…30%; Ку = 16…18 дБ; Uп = 8 В.
HMC659
К1324УВ28У
∆f = DC – 12,0 ГГц; Рвых = 0,4...0,6 Вт; КПД = 28…30 %; Ку = 16…18 дБ; Uп = 8 В.
HMC659
К1324УВ27АУ1
К1324УВ27АУ_00.01.25_ЭТ
∆f = 8,0 – 11,5 ГГц; Рвых = 0,4...0,6 Вт; КПД = 16…20 %; Ку = 10…13 дБ; Uп = 5/7 В.
HMC608LC4
iPWR-531-M16
ТЛВШ.431334.001ЭТ
Uп = 8 В…40 В; Iп = 8,0 мА; Iвых = 6 А; Тф = 30 нс; Тсп= 30 нс
Xsystor 362N
iPWR-503-M16
ТЛВШ.431422.001-01ЭТ
Uп = 6 В…50 В; Iп = 3,0 мА; Uсм = -4,5 В + 4,5 В; Iсм. макс = 10 мА
Xsystor 100X; Macom MABC-001000-DP000L
К1324ГС3У
ГУН от 5 до 10 ГГц, Pвых = 4,6 дБм, L(fm)@10 кГц = -65 дБн/Гц.
HMC587 (Analog devices)
К1324ГС16У
ГУН от 6,5 до 9,2 ГГц, Pвых = 7 дБм, L(fm)@10 кГц = -75 дБн/Гц.
HMC506 (Analog devices)
К1324ГС14У
ГУН от 5,0 до 6,8 ГГц, Pвых = 11 дБм, L(fm)@10 кГц = -80 дБн/Гц.
HMC431, HMC466 (Analog devices)
К1324ГС12У
ГУН от 3,5 до 5,1 ГГц, Pвых = 14 дБм, L(fm)@10 кГц = -80 дБн/Гц.
HMC391, HMC429 (Analog devices)
iPA-45-F
Δf = 8,0 - 11,0 ГГц; <br> Ку= 20 дБ; <br> Pвых = 40 Вт;<br> КПД=30%<br> Uп= 28 В (Iпок= 1 А)<br>
CMPA801B030 (ф. Qorvo, США) TGA2238 (ф. Qorvo, США)
iPA-100-МВ
Δf = 0,1 - 1,1 ГГц; Ку=17 дБ; Pвых = 10 Вт; КПД=50% Uп= 28 В (Iпок= 100 мА)
HMC1099 (ф. Analog Devices, США)
iFSY-320-MO
∆f = 23,5 до 12 000 МГц; Nfloor = -226 дБн/Гц, L(fm)@1 МГц = -126…-118 дБн/Гц
ADF5355, ADF5356 (Analog Devices).
iVCO-210-M20
ТЛВШ.434810.002ТУ
∆f = 45 до 135 МГц; Pвых1 от 10 дБм; Pвых2 от 0 дБм; L(fm)@10 кГц = -96 дБн/Гц
ROS-100+ (Mini-circuits)
iVCO-218-M20
ТЛВШ.434810.002ТУ
∆f = 3050 до 4450 МГц; Pвых1 от 10 дБм; Pвых2 от 0 дБм; L(fm)@10 кГц = -83 дБн/Гц.
CVCO55CW-3050-4250 (Crystek).
iVCO-217-M20
ТЛВШ.434810.002ТУ
∆f = 2000 до 3600 МГц; Pвых1 от 10 дБм; Pвых2 от 0 дБм; L(fm)@10 кГц = -80 дБн/Гц.
ROS-3360R+ (Mini-circuits).
iVCO-216-M20
ТЛВШ.434810.002ТУ
∆f = 1450 до 2600 МГц; Pвых1 от 10 дБм; Pвых2 от 0 дБм; L(fm)@10 кГц = -87 дБн/Гц.
ROS-2500+ (Mini-circuits).
iVCO-215-M20
ТЛВШ.434810.002ТУ
∆f = 900 до 1900 МГц; Pвых1 от 10 дБм; Pвых2 от 0 дБм; L(fm)@10 кГц = -88 дБн/Гц.
ROS-1750-619+ (Mini-circuits).
iVCO-214-M20
ТЛВШ.434810.002ТУ
∆f = 715 до 1400 МГц, Pвых1 от 10 дБм, Pвых2 от 0 дБм, L(fm)@10 кГц = -86 дБн/Гц.
ROS-1150-519+ (Mini-circuits).
iVCO-213-M20
ТЛВШ.434810.002ТУ
∆f = 330 до 950 МГц, Pвых1 от 10 дБм, Pвых2 от 0 дБм, L(fm)@10 кГц = -92 дБн/Гц.
ROS-850W-119+ (Mini-circuits).