GaAs СВЧ МИС буферного усилителя Х-диапазона
Приведена методика разработки СВЧ МИС буферного усилителя на основе линейного анализа. Начальными данными для проектирования служат мало-сигнальная модель и выходная ВАХ GaAs ПТШ.
-
01 Ноя
-
29 Окт
Разработка двухполосного СВЧ усилителя мощности на основе GAN HEMT транзистора
Представлены результаты разработки двухполосного усилителя мощности L-диапазона (1,28 и 2,14 ГГц) на GaN HEMT-транзисторе. C целью повышения выходной мощности и КПД был осуществлен оптимальный выбор импедансов нагрузки транзистора на...
-
26 Окт
Подбор отечественных аналогов ЭКБ
Найти отечественные аналоги импортных СВЧ микросхем и модулей стало еще проще с помощью недавно созданного раздела «Аналоги». Раздел содержит таблицу соответствия зарубежных микросхем отечественным изделиям каталога ИПК Электронмаш. Все...
-
25 Окт
Малошумящий усилитель диапазона 6–12ГГц
Проведено моделирование малошумящего широкополосного усилителя диапазона 6–12 ГГц с коэффициентом 2 дБ и выходной мощностью 13 дБм. Коэффициент усиления по мощности не менее 30 дБ при неравномерности АЧХ не...
-
22 Окт
Стабилизация режима усилителей класса АВ
Усилители класса АВ наиболее распространены среди линейных усилителей, поскольку, оставаясь наиболее простым видом усилителей, в идеале позволяют сочетать высокую экономичность усилителей класса В с неискажающим усилением усилителей класса А.