Разработка двухполосного СВЧ усилителя мощности на основе GAN HEMT транзистора
Представлены результаты разработки двухполосного усилителя мощности L-диапазона (1,28 и 2,14 ГГц) на GaN HEMT-транзисторе. C целью повышения выходной мощности и КПД был осуществлен оптимальный выбор импедансов нагрузки транзистора на основной частоте и гармониках в обеих полосах пропускания.Для проектирования выходной согласующей цепи (СЦ) усилителя по этим данным применена новая компьютерная процедура, которая реализована с помощью программы автоматического синтеза пассивных цепей, основанной на генетическом алгоритме, что позволило значительно облегчить и ускорить проектирование СЦ.