Представлены конструктивно-технологические решения по формированию GaAs СВЧ монолитной интегральной схемы (МИС) с металлизацией лицевой стороны на основе меди. В качестве металлизации омических и затворных контактов транзисторов с высокой подвижностью...
Разработана математическая модель частотного детектирования сигналов нелинейных устройств. Проведено математическое моделирование квадратурного усилителя мощности частотномодулированных сигналов при воздействии гармонической помехи на нелинейные усилительные элементы устройства. Оценена степень уменьшения интермодуляционных...
Приведены результаты проектирования транзисторных широкополосных усилителей на основе математической модели активного четырехполюсника для широкополосного усилителя с двухполюсником параллельной обратной связи (ОС).
Проведён анализ колебательных систем генераторов электрических синусоидальных сигналов на новых усилителях, получивших в зарубежной литературе название CFOA – операционные усилители с токовой обратной связью. Показано, что анализ таких систем,...
Методом атомно-силовой микроскопии проведен анализ физической структуры арсенид-галлиевых малошумящих усилителей при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей с целью определения основных механизмов отказов. В качестве активных элементов усилителей использованы полевые...