Конструктивно-технологические особенности изготовления СВЧ GaAs монолитной интегральной схемы усилителя с медной металлизацией лицевой стороны
Представлены конструктивно-технологические решения по формированию GaAs СВЧ монолитной интегральной схемы (МИС) с металлизацией лицевой стороны на основе меди. В качестве металлизации омических и затворных контактов транзисторов с высокой подвижностью электронов использовались многослойные композиции Pd/Ge/Al/Mo и Ti/Al/Mo соответственно. Металлизация первого уровня была выполнена на W/Cu/WNx. Металлизация второго уровня формировалась методом электрохимического осаждения меди, в качестве подслоя для осаждения была использована пленка Ti/Cu.