All posts by: electron

  • 29 Окт

    Разработка двухполосного СВЧ усилителя мощности на основе GAN HEMT транзистора

    Представлены результаты разработки двухполосного усилителя мощности L-диапазона (1,28 и 2,14 ГГц) на GaN HEMT-транзисторе. C целью повышения выходной мощности и КПД был осуществлен оптимальный выбор импедансов нагрузки транзистора на...

  • 26 Окт

    Подбор отечественных аналогов ЭКБ

    Найти отечественные аналоги импортных СВЧ микросхем и модулей стало еще проще с помощью недавно созданного раздела «Аналоги». Раздел содержит таблицу соответствия зарубежных микросхем отечественным изделиям каталога ИПК Электронмаш. Все...

  • 25 Окт

    Малошумящий усилитель диапазона 6–12ГГц

    Проведено моделирование малошумящего широкополосного усилителя диапазона 6–12 ГГц с коэффициентом 2 дБ и выходной мощностью 13 дБм. Коэффициент усиления по мощности не менее 30 дБ при неравномерности АЧХ не...

  • 22 Окт

    Стабилизация режима усилителей класса АВ

    Усилители класса АВ наиболее распространены среди линейных усилителей, поскольку, оставаясь наиболее простым видом усилителей, в идеале позволяют сочетать высокую экономичность усилителей класса В с неискажающим усилением усилителей класса А.

  • 18 Окт

    Оценка полос рабочих частот усилителей мощности Е класса

    Проведена оценка характерных величин полос известных устройств, работающих в различных режимах Е класса. Для любого выбранного допустимого снижения величин КПД относительно их расчетных табличных данных оценочные величины полос рабочих...