Оптимизация топологии пленочных поглощающих элементов ВЧ и СВЧ аттенюаторов
Предложены топологии поглощающих элементов на основе однородной резистивной пленки для волноводных, коаксиальных и полосковых аттенюаторов широкого диапазона ослаблений, обеспечивающие снижение в среднем на 40% максимальных значений градиента потенциала и плотности, выделяющейся в резистивной пленке, мощности по сравнению с типовыми топологиями. Приведены графики, показывающие выигрыш в величине градиента потенциала и плотности мощности в зависимости от соотношений размеров поглощающих элементов.