Phone: +7 (495) 761-75-23 Email: info@electron-engine.ru

Микросхемы — СВЧ-усилителей мощности

Заказать


Назад

СВЧ-аттенюаторы СВЧ-квадратурные модуляторы СВЧ-умножители частоты
СВЧ-делители частоты СВЧ-квадратурные демодуляторы СВЧ-широкополосные усилители
ИМС источников тока Управляемые СВЧ усилители СВЧ-широкополосные малошумящие усилители
Операционные усилители СВЧ-смесители Микросхемы — СВЧ-усилителей мощности
Приемники сигналов МПС Компараторы Драйверы
СВЧ-генераторы, управляемые напряжением Фазовращатели
Filters Sort
Reset Apply
Наименование изделия
Документ на поставку изделия
Характеристики
Технология
Аналоги
Справочный Лист, скачать PDF
iPA-64-MB
Δf = 1,0 - 8,0 ГГц; Ку= 25 дБ; Pвых = 9 Вт; КПД=30% Uп= 28 В (Iпок= 300 мА)
GaN
QPA1003P (ф. Qorvo, США)
iPA-100-МВ
Δf = 0,1 - 1,1 ГГц; Ку=17 дБ; Pвых = 10 Вт; КПД=50% Uп= 28 В (Iпок= 100 мА)
GaN
HMC1099 (ф. Analog Devices, США)
iPA-75-МВ
Δf = 6,0 - 11,5 ГГц; Ку=17 дБ; Pвых = 3 Вт; КПД=20% Uп= 28 В (Iпок= 100 мА)
GaN
TGA2598 (ф. Qorvo, США)
iPA-74-МВ
Δf = 2,0 - 6,5 ГГц; Ку=17 дБ; Pвых = 3 Вт; КПД=30% Uп= 28 В (Iпок= 100 мА)
GaN
TGA2597 (ф. Qorvo, США)
iPA-41-МВ
Δf = 8,0- 11,0 ГГц; Ку= 21,5 дБ; Pвых. = 15 Вт; Iп= 0,5 А; Uп= 28 В Q = 10.
GaN
TGA2624 (ф. Qorvo, США) QPA1010D (ф. Qorvo, США) AM08012041WN (ф. AMCOM, США) MAAP-015035-DIE (ф. MACOM, США)
iPA-72-МВ
Δf = 1,0- 6,2 ГГц; Ку= 15 дБ; Pвых. = 3 Вт; КПД=20%; Uп= 28 В (Iпок= 90 мА);
GaN
QPA2597(ф. Qorvo, США) MAGX-101050-002C0P
iPA-73-МВ
Δf = 0,5- 3,5 ГГц; Ку= 14 дБ; Pвых. = 4 Вт; КПД=23%; Uп= 28 В (Iпок= 90 мА);
GaN
iPA-62-МВ
Δf = 0,01 - 3,5 ГГц; Рвых = 10 Вт; S21 = 19 дБ; КПД = 40%; Uп = 28В.
GaN
iPA-80-MB
Δf = 0,8 - 1,5 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 23 дБ; КПД = 27%; Uп = 7 В.
GaAs
iPA-81-MB
Δf = 0,95 - 1,6 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 24 дБ; КПД = 30%; Uп = 7 В.
GaAs
iPA-82-MB
Δf = 0,95 - 1,6 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 24 дБ; КПД = 30%; Uп = 7 В.
GaAs
iPA-83-MB
Δf = 1,1 - 1,8 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 23 дБ; КПД = 30%; Uп = 7 В.
GaAs
iPA-84-MB
Δf = 2,3 - 3,4 ГГц; Рвых = 5 Вт; S21 = 28 дБ; КПД = 30%; Uп = 7 В.
GaAs
iPA-43-MB
Δf = 8,0 – 11,0 ГГц; Рвых = 20 Вт; КПД = 30 %; Ку = 16 дБ; S21 = 27 дБ.
GaN
TGA2624 (ф. Qorvo, США) QPA1010D (ф. Qorvo, США) AM08012041WN (ф. AMCOM, США) MAAP-015035-DIE (ф. MACOM, США)
iPA-90-МВ
УМ от 6,2 до 8,5 ГГц, Pвых=5 Вт, Ку=25 дБ.
GaAs
TGA2701-SM (ф. Qorvo, США)