План новинок

Δf:7,2–10,2 ГГц

Pвых:0 дБм

СПМ ФШ 10 кГц:−75 дБн/Гц

СПМ ФШ 100 кГц:−99 дБн/Гц

СПМ ФШ 1 МГц:−125 дБн/Гц

Δf:8,2–11,7 ГГц

Pвых:0 дБм

СПМ ФШ 10 кГц:−73 дБн/Гц

СПМ ФШ 100 кГц:−95 дБн/Гц

СПМ ФШ 1 МГц:−122 дБн/Гц

Δf:9,9–13,6 ГГц

Pвых:0 дБм

СПМ ФШ 10 кГц:−74 дБн/Гц

СПМ ФШ 100 кГц:−97 дБн/Гц

СПМ ФШ 1 МГц:−124 дБн/Гц

Тип корпуса:МПП16

Uп:6–50 В

Iп:12 мА

Iимп.макс:5 А

tф / tс:< 60 нс

Технология:GaN

Δf:2,3–3,1 ГГц

Pвых:90 Вт

КПД:50%

Ку:22 дБ

Uп:28 В

Технология:GaN

Δf:8,0–11,0 ГГц

Pвых:15 Вт

КПД:25%

Ку:21,5 дБ

Uп:28 В

Технология:GaN

Δf:8,0–11,0 ГГц

Pвых:45 Вт

КПД:25%

Ку:20 дБ

Uп:28 В

Технология:GaN

Δf:1,4–2,5 ГГц

Pвых:25 Вт

КПД:45%

Ку:21 дБ

Uп:28 В

Технология:GaN

Δf:0,01–4,0 ГГц

Pвых:50 Вт

КПД:60%

Ку:16 дБ

Uп:28 В

Δf:4,0–20,0 ГГц

Кпр:−8 дБ

ISO:30 дБ

Pвх1дб:10 дБм

Тип:ДБС диодный

Δf:0,01–6 ГГц

Pвых:4 Вт

Δf:0,01–6 ГГц

Pвых:9 Вт

Тип корпуса:SOT-363

Uп:4–14 В

Iп:3 мА

Iимп.макс:0,1 A

tф, tс:5 нс

Полоса пропускания:3,4–16,5 ГГц

Полоса заграждения:0–2,9 ГГц

Кп:−0,8 дБ

КСВН:1,5

Полоса пропускания:4,4–16,6 ГГц

Полоса заграждения:0–3,7 ГГц

Кп:−0,9 дБ

КСВН:1,5

Δf:10–18 ГГц

Δφмакс.:390 град.

Кп:−10 дБ

Uупр:0,1…9 В

BW3дБ:30 МГц

Δf:4,5–13,5 ГГц

Кпр:−8 дБ

ISO:40 дБ

Pвх1дБ:16 дБм

Icc:—

Тип:смеситель с ФПЗК

Полоса пропускания:0–6,8 ГГц

Полоса заграждения:7,6–17 ГГц

Кп:−1,5 дБ

КСВН:1,5

Δf:8–12,5 ГГц

Ф:±10 град.

IL:9 дБ

ΔT:100 нс

Uп:−5 мА

Δf:0–4 ГГц

Кп:−1 дБ

Мощность просачивания:13 дБм

Входная мощность:2 Вт / 60 Вт

КСВН:<2

Δf:0–4 ГГц

Кпр:4 дБ

ISO:50 дБ

Pвх1дБ:−7 дБм

Icc:60 мА