План новинок
- Home /
- План новинок
План выпуска по месяцам и группам изделий
Апрель 12 изделий
Генераторы, управляемые напряжением3
К1324ГС21У
Δf:7,2–10,2 ГГц
Pвых:0 дБм
СПМ ФШ 10 кГц:−75 дБн/Гц
СПМ ФШ 100 кГц:−99 дБн/Гц
СПМ ФШ 1 МГц:−125 дБн/Гц
К1324ГС22У
Δf:8,2–11,7 ГГц
Pвых:0 дБм
СПМ ФШ 10 кГц:−73 дБн/Гц
СПМ ФШ 100 кГц:−95 дБн/Гц
СПМ ФШ 1 МГц:−122 дБн/Гц
К1324ГС23У
Δf:9,9–13,6 ГГц
Pвых:0 дБм
СПМ ФШ 10 кГц:−74 дБн/Гц
СПМ ФШ 100 кГц:−97 дБн/Гц
СПМ ФШ 1 МГц:−124 дБн/Гц
СВЧ-усилители большой мощности4
iPA-32-MB
Технология:GaN
Δf:2,3–3,1 ГГц
Pвых:90 Вт
КПД:50%
Ку:22 дБ
Uп:28 В
iPA-41-MB
Технология:GaN
Δf:8,0–11,0 ГГц
Pвых:15 Вт
КПД:25%
Ку:21,5 дБ
Uп:28 В
iPA-45-MB
Технология:GaN
Δf:8,0–11,0 ГГц
Pвых:45 Вт
КПД:25%
Ку:20 дБ
Uп:28 В
iPA-120-M
Технология:GaN
Δf:1,4–2,5 ГГц
Pвых:25 Вт
КПД:45%
Ку:21 дБ
Uп:28 В
СВЧ-транзисторы1
ПП954А
Технология:GaN
Δf:0,01–4,0 ГГц
Pвых:50 Вт
КПД:60%
Ку:16 дБ
Uп:28 В
Преобразователи сигналов1
К1324ПС8АУ1
СВЧ-смеситель
Δf:4,0–20,0 ГГц
Кпр:−8 дБ
ISO:30 дБ
Pвх1дб:10 дБм
Тип:ДБС диодный
Схемы управления питанием1
iPWR-533-M16
Тип корпуса:МПП16
Uп:12–50 В
Iп:30 мА
Iимп. макс:5 А
tф/tc:<60 нс
Измерительное оборудование1
ПРК Иволга
Промышленный роботизированный комплекс для автоматизации производственных, контрольных и измерительных процессов с поддержкой машинного зрения и интеграцией внешнего оборудования.
Сентябрь 21 изделие
СВЧ-усилители большой мощности1
iPA-121-M
Технология:GaN
Δf:2,0–3,6 ГГц
Pвых:25 Вт
КПД:40 %
Kу:20 дБ
Uп:28 В
СВЧ-транзисторы4
ПП943А9
Технология:GaN
Δf:0,01–3,0 ГГц
Рнас:60 Вт
КПД:60 %
Ку:14 дБ
Uп:48 В
ПП930А9
Технология:GaN
Δf:0,01–6,0 ГГц
Рнас:5 Вт
КПД:50 %
Ку:14 дБ
Uп:28 В
ПП931А9
Технология:GaN
Δf:0,01–6,0 ГГц
Рнас:10 Вт
КПД:50 %
Ку:13 дБ
Uп:28 В
ПП964А
Технология:GaN
Δf:0,01–3,5 ГГц
Рнас:100 Вт
КПД:60 %
Ку:15 дБ
Uп:48 В
СВЧ-усилители малой и средней мощности6
К1324УП2У
Δf:0,3–6,0 ГГц
Kу.макс:17 дБ
N:6 бит
ΔKу:31,5 дБ
Kш:2,5 дБ
К1324УВ60У1
Δf:0,01–8,0 ГГц
Pвых1дБ:32 дБм
Kу:14 дБ
КПД:15 %
Iп:500 мА
U:15 В
К1324УВ40У1
Δf:0,01–2,0 ГГц
Рвых1дБ:13 дБм
Ку:15 дБ
Кш:3,4 дБ
Iп:35 мА
U:3,3 В
К1324УВ41У1
Δf:0,01–2,0 ГГц
Рвых1дБ:19 дБм
Ку:15 дБ
Кш:3,5 дБ
Iп:130 мА
U:5 В
К1324УВ42У1
Δf:0,01–7,0 ГГц
Рвых1дБ:12 дБм
Ку:12 дБ
Кш:4 дБ
Iп:30 мА
U:3,3 В
К1324УВ43У1
Δf:0,01–7,0 ГГц
Рвых1дБ:19 дБм
Ку:12 дБ
Кш:5 дБ
Iп:110 мА
U:5 В
Преобразователи сигналов9
К1324ФВ1АУ1
Безотражательный фильтр верхних частот
Полоса пропускания:3,4–16,5 ГГц
Полоса заграждения:0–2,9 ГГц
Кп:−0,8 дБ
КСВН:1,5
К1324ФВ2АУ1
Безотражательный фильтр верхних частот
Полоса пропускания:4,4–16,6 ГГц
Полоса заграждения:0–3,7 ГГц
Кп:−0,9 дБ
КСВН:1,5
К1324ПФ13АУ1
СВЧ-фазовращатель с аналоговым управлением
Δf:10–18 ГГц
Δφмакс.:390 град.
Кп:−10 дБ
Uупр:0,1…9 В
BW3дБ:30 МГц
К1324ПС11У
СВЧ-смеситель
Δf:4,5–13,5 ГГц
Кпр:−8 дБ
ISO:40 дБ
Pвх1дБ:16 дБм
Icc:—
Тип:смеситель с ФПЗК
К1324ФН10АУ1
Безотражательный фильтр нижних частот
Полоса пропускания:0–6,8 ГГц
Полоса заграждения:7,6–17 ГГц
Кп:−1,5 дБ
КСВН:1,5
К1324ПФ4АУ1
СВЧ-фазовращатель с цифровым управлением
Δf:8–12,5 ГГц
Ф:±10 град.
IL:9 дБ
ΔT:100 нс
Uп:−5 мА
К1324ПУ1АУ1
Защитное СВЧ-устройство / ограничитель СВЧ-мощности
Δf:0–4 ГГц
Кп:−1 дБ
Мощность просачивания:13 дБм
Входная мощность:2 Вт / 60 Вт
КСВН:<2
К1324ПС3АУ1
СВЧ-смеситель
Δf:0–4 ГГц
Кпр:4 дБ
ISO:50 дБ
Pвх1дБ:−7 дБм
Icc:60 мА
К1324ПС9АУ
СВЧ-смеситель
Δf:1,0 – 6,0 ГГц
Кпр:12 дБ
ISO:20 дБ
Pвх1дБ:9 дБм
Icc:105 мА
Тип:ДБС диодный с усилителями ГЕТ и ПЧ
Ноябрь 11 изделий
Преобразователи сигналов7
К1324ПП1АУ1
СВЧ-умножитель частоты
Δf:0,01 – 2,8 ГГц
К1324ПП4АУ1
СВЧ-умножитель частоты
Δf:0,01 – 3,3 ГГц
К1324ПП5АУ1
СВЧ-умножитель частоты
Δf:3,0 – 4,4 ГГц
К1324ПП7АУ1
СВЧ-умножитель частоты
Δf:0,8 – 3,5 ГГц
К1324ПП8АУ1
СВЧ-умножитель частоты
Δf:2,5 – 9,0 ГГц
К1324ПП9АУ1
СВЧ-умножитель частоты
Δf:0 – 18,0 ГГц
К1324КП1АУ1
СВЧ-коммутатор 2-в-1
Δf:0 – 18,0 ГГц
СВЧ-усилители малой и средней мощности4
К1324УВ44У1
Δf:0,01–6,0 ГГц
Рвых1дБ:12 дБм
Ку:16 дБ
Кш:3,7 дБ
Iп:35 мА
U:3,3 В
К1324УВ45У1
Δf:0,01–6,0 ГГц
Рвых1дБ:20 дБм
Ку:17 дБ
Кш:4 дБ
Iп:135 мА
U:5 В
К1324УВ46У1
Δf:0,01–5,0 ГГц
Рвых1дБ:14 дБм
Ку:22 дБ
Кш:3 дБ
Iп:45 мА
U:3,3 В
К1324УВ47У1
Δf:0,01–5,0 ГГц
Рвых1дБ:21 дБм
Ку:21 дБ
Кш:4 дБ
Iп:145 мА
U:5 В