Разработка двухполосного СВЧ усилителя мощности на основе GAN HEMT транзистора
Представлены результаты разработки двухполосного усилителя мощности L-диапазона (1,28 и 2,14 ГГц) на GaN HEMT-транзисторе. C целью повышения выходной мощности и КПД был осуществлен оптимальный выбор импедансов нагрузки транзистора на...