Построение тракта РЧ в АФАР Х-диапазона частот (8-12 ГГц)

ООО "ИПК "Электрон-Маш" предлагает широкую номенклатуру отечественной ЭКБ, применяемой при построении СВЧ трактов приёмников и передатчиков, в частности широкополосные усилители, усилители мощности, генераторы управляемые напряжением, а также преобразователи частоты.

Для получения списка рекомендуемых элементов необходимо кликнуть выделенные контуром элементы схемы.

Построение тракта РЧ в АФАР Х-диапазона частот (8-12 ГГц)
Коммутаторы Аттенюаторы Фазовращатели Коммутаторы Предварительные усилители мощности Буферные усилители Выходные усилители мощности Малошумящие усилители Защитные устройства Коммутаторы большой мощности

Коммутаторы

GaAs Коммутатор 2 в 1

W1.044.2

Δ= 0…14 ГГц; 2, Pвх1дБ > 20 дБм, Ппер < 2,0 дБ, Киз > 35 дБ, tпер < 15 нс

На основе кристалла доступны изделия на заказ.

Аттенюаторы

Аттенюатор 6 бит с цифровым управлением

1324ПМ1

Δf = 0,01 – 5 ГГц, αнач > -10дБ, LSB = 0,5дБ, N = 6 бит, Uп = ±5В

Аттенюатор 6 бит с цифровым управлением

1324ПМ2

Δf = 0,01 – 14 ГГц, αнач>-10дБ, LSB = 0,5дБ, N = 6 бит, Uп = +5В

Аттенюатор 6 бит с цифровым управлением

IDA0071-H

Δf = 0,01 – 5 ГГц, αнач > -10дБ, LSB = 0,5дБ, N = 6 бит, Uп = ±5В

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Фазовращатели

GaAs фазовращатель с цифровым управлением

W1.062.1

Δf = 8-12 ГГц, Кр >-5 дБ, ΔКр < 1,0 дБ, tпер < 200 нс, Рвх.max >0,2 Вт αнач>-5дБ, LSB = 5,625, N = 6 бит, ϕош<10, Uп = ±5В, Iп = 6/4 мА

GaAs фазовращатель с цифровым управлением

W1.062.4

Δf = 8,4 – 10,6 ГГц, αнач>-12 дБ, LSB = 5,625, N = 6 бит, ϕош±10, Uп = ±5В, Iп = 6/4 мА.

 На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Коммутаторы

GaAs Коммутатор 2 в 1

W1.044.2

Δ= 0…14 ГГц; 2, Pвх1дБ > 20 дБм, Ппер < 2,0 дБ, Киз > 35 дБ, tпер < 15 нс

На основе кристалла доступны изделия на заказ.

Предварительные усилители мощности

Усилитель средней мощности

W3.182.0

Δ= 5…11 ГГц при КСВН < 2,5, Pвых1дБ > 18 дБм, Ку= 23 дБ

Усилитель средней мощности

W0.104.1

Δ= 8,5…11,0 ГГц при КСВН < 2,5, Pвых =23…27 дБм, Ку= 15…19 дБ

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Буферные усилители

GaAs HBT буферный усилитель

W3.028.0 W3.028.1

Δ= 6,0…15,0 ГГц @ КСВН < 2, Pвых =15 дБм, Ку= 27 дБ, Uп = 5 В, Iп=60 мА

GaAs HEMT малошумящий усилитель

W1.010.1

∆f = 7,0...12,0 ГГц, Ку = 20 дБ, P1дБвых = 16 дБм, Кш = 3-4 дБ, Iпот = 42 мА.

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Выходные усилители мощности

Усилитель средней мощности

IPA0027-Q

Δf = 8,5…11,0 ГГц, КСВН < 2,5, Pвых =10…15 Вт (100мкс@10), Ку = 17…20 дБ, КПД=30...40%, Uп = 32 В, Iп=190…500 мА

Усилитель с распределённым усилением

IPA0041-D

Δf = 2,0…18,0 ГГц, КСВН < 2,5, Pвых =3 Вт (100мкс@10), Ку= 16…20 дБ, КПД=10…23%, Uп = 26..32 В, Iп=300 мА

Усилитель большой мощности

W2.020.2 W2.020.3

Δf = 8,5…11,5 ГГц, КСВН < 2,5, Pвых =30…40 Вт (100мкс@10), Ку= 21…23 дБ, КПД=30…37%,Uп = 28 В, Iпок =1 А

Для просмотра справочного листа кликните на шифр изделия.

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Малошумящие усилители

GaAs HEMT малошумящий усилитель

W1.010.1

∆f = 7,0...12,0 ГГц, Ку = 20 дБ, P1дБвых = 16 дБм, Кш = 3-4 дБ, Iпот = 42 мА

GaN малошумящий усилитель

W2.006.1

Δf = 8…12 ГГц, Кр >22 дБ, Кш < 2,5 дБ, Рвх3дБ > 20 дБм

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Защитные устройства

GaAs защитное устройство

W1.013.0

Δf =8-11 ГГц, Рвх.max > 5Вт, Кп>-0,5 дБ

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Коммутаторы большой мощности

GaAs коммутатор 2 в 1

W1.060.0

Δf = 8,5…10,5 ГГц @ КСВН < 2, Pвх1дБ > 37 дБм, Ппер < 2,2 дБ, Киз > 35 дБ,

tпер < 480 нс, Uупр = 0 / +5 В

GaAs коммутатор 2 в 1

W1.061.0

Δ= 10,0…11,5 ГГц, КСВН < 3, Pвх1дБ > 37 дБм, Ппер < 3,5 дБ, Киз > 30 дБ

GaN коммутатор 2 в 1

W2.018.0

Δ= 0,5…12 ГГц, КСВН<2, Pвх1дБ > 43 дБм, Ппер < 2 дБ, Киз > 25 дБ

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.