Построение тракта РЧ в АФАР Х-диапазона частот (8-12 ГГц)

ООО "ИПК "Электрон-Маш" предлагает широкую номенклатуру отечественной ЭКБ, применяемой при построении СВЧ трактов приёмников и передатчиков, в частности широкополосные усилители, усилители мощности, генераторы управляемые напряжением, а также преобразователи частоты.

Для получения списка рекомендуемых элементов необходимо кликнуть выделенные контуром элементы схемы.

Построение тракта РЧ в АФАР Х-диапазона частот (8-12 ГГц)

Коммутаторы

GaAs Коммутатор 2 в 1

W1.044.2

Δf = 0…14 ГГц; 2, P_вх1дБ > 20 дБм, П_пер < 2,0 дБ, К_из > 35 дБ, t_пер < 15 нс

На основе кристалла доступны изделия на заказ.

Аттенюаторы

Аттенюатор 6 бит с цифровым управлением	1324ПМ1	Δf = 0,01 – 5 ГГц, α_нач> -10дБ, LSB = 0,5дБ, N = 6 бит, U_п = ±5В
Аттенюатор 6 бит с цифровым управлением	1324ПМ2	Δf = 0,01 – 14 ГГц, α_нач>-10дБ, LSB = 0,5дБ, N = 6 бит, U_п = +5В
Аттенюатор 6 бит с цифровым управлением	IDA0071-H	Δf = 0,01 – 5 ГГц, α_нач > -10дБ, LSB = 0,5дБ, N = 6 бит, U_п = ±5В

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Фазовращатели

GaAs фазовращатель с цифровым управлением	W1.062.1	Δf = 8-12 ГГц, К_р >-5 дБ, ΔК_р < 1,0 дБ, t_пер < 200 нс, Р_вх._max >0,2 Вт α_нач>-5дБ, LSB = 5,625⁰, N = 6 бит, ϕ_ош<10⁰, U_п = ±5В, I_п = 6/4 мА
GaAs фазовращатель с цифровым управлением	W1.062.4	Δf = 8,4 – 10,6 ГГц, α_нач>-12 дБ, LSB = 5,625⁰, N = 6 бит, ϕ_ош±10⁰, U_п = ±5В, I_п = 6/4 мА.

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Коммутаторы

GaAs Коммутатор 2 в 1

W1.044.2

Δf = 0…14 ГГц; 2, P_вх1дБ > 20 дБм, П_пер < 2,0 дБ, К_из > 35 дБ, t_пер < 15 нс

На основе кристалла доступны изделия на заказ.

Предварительные усилители мощности

Усилитель средней мощности	W3.182.0	Δf = 5…11 ГГц при КСВН < 2,5, Pвых1дБ > 18 дБм, Ку= 23 дБ
Усилитель средней мощности	W0.104.1	Δf = 8,5…11,0 ГГц при КСВН < 2,5, Pвых =23…27 дБм, Ку= 15…19 дБ

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Буферные усилители

GaAs HBT буферный усилитель	W3.028.0 W3.028.1	Δf = 6,0…15,0 ГГц @ КСВН < 2, P_вых =15 дБм, К_у= 27 дБ, U_п = 5 В, I_п=60 мА
GaAs HEMT малошумящий усилитель	W1.010.1	∆f = 7,0...12,0 ГГц, К_у = 20 дБ, P_1дБвых = 16 дБм, К_ш = 3-4 дБ, I_пот = 42 мА.

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Выходные усилители мощности

Усилитель средней мощности	IPA0027-Q	Δf = 8,5…11,0 ГГц, КСВН < 2,5, P_вых =10…15 Вт (100мкс@10), К_у = 17…20 дБ, КПД=30...40%, U_п = 32 В, I_п=190…500 мА
Усилитель с распределённым усилением	IPA0041-D	Δf = 2,0…18,0 ГГц, КСВН < 2,5, P_вых =3 Вт (100мкс@10), К_у= 16…20 дБ, КПД=10…23%, U_п = 26..32 В, I_п=300 мА
Усилитель большой мощности	W2.020.2 W2.020.3	Δf = 8,5…11,5 ГГц, КСВН < 2,5, P_вых =30…40 Вт (100мкс@10), К_у= 21…23 дБ, КПД=30…37%,U_п = 28 В, I_пок =1 А

Для просмотра справочного листа кликните на шифр изделия.

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Малошумящие усилители

GaAs HEMT малошумящий усилитель	W1.010.1	∆f = 7,0...12,0 ГГц, К_у = 20 дБ, P_1дБвых = 16 дБм, К_ш = 3-4 дБ, I_пот = 42 мА
GaN малошумящий усилитель	W2.006.1	Δf = 8…12 ГГц, К_р >22 дБ, К_ш < 2,5 дБ, Р_вх3дБ > 20 дБм

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Защитные устройства

GaAs защитное устройство

W1.013.0

Δf =8-11 ГГц, Р_вх._max > 5Вт, К_п>-0,5 дБ

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.

Коммутаторы большой мощности

GaAs коммутатор 2 в 1

W1.060.0

Δf = 8,5…10,5 ГГц @ КСВН < 2, P_вх1дБ > 37 дБм, П_пер < 2,2 дБ, К_из > 35 дБ,

t_пер < 480 нс, U_упр = 0 / +5 В

GaAs коммутатор 2 в 1

W1.061.0

Δf = 10,0…11,5 ГГц, КСВН < 3, P_вх1дБ > 37 дБм, П_пер < 3,5 дБ, К_из > 30 дБ

GaN коммутатор 2 в 1

W2.018.0

Δf = 0,5…12 ГГц, КСВН<2, P_вх1дБ > 43 дБм, П_пер < 2 дБ, К_из > 25 дБ

На основе кристаллов доступны изделия на заказ.