СВЧ усилители мощности с высоким КПД на основе технологии AlGaN/GaN
C момента появления первых работ по разработке транзисторов на нитриде галлия GaN, возможности приборов CВЧ диапазона были существенно расширены благодаря уникальным свойствам гетероперехода AlGaN/GaN. Высокая подвижность и концентрация носителей заряда в канале AlGaN/GaN наряду с широкой запрещенной зоной определяют частотные и мощностные свойства гетеропереходных полевых транзисторов с каналом, обладающим высокой подвижностью носителей заряда (НЕМТ).