Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенной интенсивности
Методом атомно-силовой микроскопии проведен анализ физической структуры арсенид-галлиевых малошумящих усилителей при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей с целью определения основных механизмов отказов. В качестве активных элементов усилителей использованы полевые транзисторы с барьером Шоттки на псевдоморфных гетероэпитаксиальных структурах с высокой подвижностью электронов. Предложен механизм изменения физической структуры металлизации.