Разработка монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах
Приведены результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц. Разработка выполнена с применением методики и программ визуального проектирования СВЧ транзисторных усилителей. Усилитель изготовлен на основе гетероструктурной 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии. Повышение частотного диапазона СВЧ-устройств имеет массу преимуществ, так как позволяет уменьшить мощность, излучаемую передатчиком, повысить плотность канала передачи информации, снизить энергетические и массогабаритные параметры системы в целом и др.