Исследование деградации параметров интегральных микросхем операционных усилителей при воздействии ионизирующего излучения космического пространства
Приводятся результаты экспериментального исследования воздействия ионизирующего излучения космического пространства (ИИ КП) на биполярные интегральные микросхемы операционных усилителей (далее ОУ), работающие в процессе воздействия в электрическом режиме.Определены наиболее чувствительные параметры исследуемых ОУ к воздействию ИИ КП. Установлена связь изменения параметров ОУ с деградацией коэффициента передачи тока биполярных транзисторов, входящих в состав ОУ.